박막형 열전모듈 제조방법 및 이를 이용한 적층 반도체칩 패키지

박막형 열전모듈 제조방법 및 이를 이용한 적층 반도체칩 패키지 상세정보
대표분류 전기소자
연구기관 한국기계연구원 연구자 현승민
기술내용 이전대상 특허번호: 10-0989643(한국)
이전유형: 양도/전용/통상실시권
기술료: 양도 300만원 이상/전용실시 200만원 이상/통상실시 100만 이상(3년)
비고: 부가세 별도

반도체 공정을 이용하여 박막형 열전모듈을 제조하는 방법으로서, (a) 실리콘 기판의 상면을 통하여 상기 실리콘 기판 내부에 P형 반도체를 일정 간격으로 실장하는 단계, (b) 상기 실리콘 기판의 하면을 통하여 이웃하는 상기 P형 반도체 사이에 N형 반도체를 일정 간격으로 실장하는 단계, (c) 상기 실리콘 기판의 상, 하면에서 상기 P, N형 반도체를 노출시키고, 이웃하는 P,N형 반도체를 서로 통전 가능하게 연결하는 전극을 형성하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 하여, 적층 반도체칩 패키지에 사용하기 적합한 컴팩트한 구성으로 각 반도체 칩에서 발생된 열을 배출 가능하게 함으로써 반도체 칩의 성능저하나 파손을 방지할 수 있는 박막형 열전모듈의 제조방법이다.
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