질소원자빔을 이용한 질화막 형성장치 및 방법
| 대표분류 | 전기소자 | ||
|---|---|---|---|
| 연구기관 | 국가핵융합연구소 | 연구자 | 김대철외 3인 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 10-1111962(한국) 이전유형: 양도 기술료: 165만원(부가세포함) 비고: 기술료 외 양수특허의 연차료 추납(가산금 포함)과 권리이전 제반비용 모두 기업 부담 본 발명은 질소원자빔을 이용한 질화막 형성장치 및 방법에 관한 것으로, 플라즈마 생성을 통해 기판 표면으로 질화막을 성장시키기 위한 질소원자를 이용한 질화막 형성장치에 있어서, 플라즈마를 발생시켜 생성된 질소이온을 중성화판을 통해 중성화시켜 질소원자빔을 생성하는 질소원자빔 발생원, 상기 질소원자빔 발생원의 플라즈마 내에 존재하는 하전입자를 제거하고 질소원자빔을 통과시키는 리미터 및 상기 리미터 하측에 연결되어 질화막을 성장시키고자 하는 기판이 놓여지는 기판지지대를 포함하는 챔버를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 구성되는 본 발명은 다양한 반도체 공정에 적용할 수 있고, 고품질의 질화막을 성장시킬 수 있는 효과를 제공한다. |
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