평판형 저온 플라즈마 반응기

평판형 저온 플라즈마 반응기 상세정보
대표분류 분리/혼합
연구기관 한국기계연구원 연구자 차민석
기술내용 이전대상 특허번호: 5191987(일본)
이전유형: 양도/전용/통상실시권
기술료: 양도 300만원 이상/전용실시 200만원 이상/통상실시 100만 이상(3년)
비고: 부가세 별도

본 발명은 유해가스 등을 처리하는 평판형 저온 플라즈마 반응기에 관한 것으로서, 유전체 장벽 방전방식 평판형 저온 플라즈마 반응기의 열응력에 의한 내구성을 크게 향상시킬 수 있으며, 차량 등 처리해야할 가스의 온도변화 범위가 넓고 시간에 대한 변화량 또한 큰 환경에서도 안정적으로 저온 플라즈마를 발생시킬 수 있음은 물론, 고전압 적층부의 전극 리드 부분을 각각의 고전압전극판에 개별적으로 구성함으로써, 아크 등 이상방전으로 인한 과전류를 각각의 전극단자에 개별 부착된 퓨즈 등으로 차단하여, 전체 성능에 문제가 없는 한 소수의 문제가 발생한 플라즈마 층에 전력을 공급하지 않도록 하여 전체 반응기의 수명을 연장시킬 수 있는 효과가 있다.
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