중성입자빔을 이용한 직접 에칭에 의해 기판 상에 소정의패턴을 형성하는 방법
| 대표분류 | 전기소자 | ||
|---|---|---|---|
| 연구기관 | 국가핵융합연구소 | 연구자 | 유석재외 1인 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 10-0754369(한국) 이전유형: 양도 기술료: 220만원(부가세포함) 비고: 기술료 외 양수특허의 연차료 추납(가산금 포함)과 권리이전 제반비용 모두 기업 부담 본 발명에서는 중성입자빔을 이용한 직접 에칭에 의해 기판 상에 소정의 패턴을 형성하는 방법이 제공된다. 본 발명에 따르면, a) 중성입자빔을 소정의 패턴이 형성된 마스크를 통과시키는 단계, b) 상기 마스크를 통과한 중성입자빔을 포토레지스트로 도포되지 아니한 기판과 직접 접촉시키는 단계, 및 c) 상기 중성입자빔과 접촉한 기판표면으로부터 기판을 형성하는 물질을 직접 에칭에 의해 제거하여, 상기 중성입자빔과 접촉한 영역에 네가티브 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 중성입자빔을 이용한 직접 에칭에 의해 기판 상에 소정의 패턴을 형성하는 방법이 제공된다. 상기한 방법은 소정의 패턴을 기판에 형성시키기 위해 통상 수행되는 공정들, 예를 들면, 포토레지스트 도포, 노광, 현상, 포토레지스트 제거 공정들을 전혀 수행하지 아니하고도, 원하는 패턴을 직접 기판 상에 형성시킬 수 있는 장점을 갖고 있다. 또한, 상기 방법은 기판 상에 직접 접촉하지 아니하는 마스크를 이용함으로써 기판의 표면에 차폐물을 직접 접촉시켜 배치하는 방법의 문제점들, 구체적으로 차폐물의 규칙적 배열의 곤란함과 차폐물에 의한 기판의 손상 등을 해결할 수 있는 장점을 갖는다. |
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