다단계 펄스를 이용한 고체원소 중성입자빔 생성장치
| 대표분류 | 전기전자 | ||
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| 연구기관 | 국가핵융합연구소 | 연구자 | 김영우외 2인 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 10-1037138(한국) 이전유형: 양도 기술료: 220만원(부가세포함) 비고: 기술료 외 양수특허의 연차료 추납(가산금 포함)과 권리이전 제반비용 모두 기업 부담 본 발명에 따른 다단계 펄스를 이용한 고체원소 중성입자빔 생성장치 및 방법은 고체원소 중성입자빔 생성장치에 있어서, 플라즈마 방전에 의해 플라즈마를 생성하는 플라즈마 챔버, 기판에 증착하고자 하는 물질로 구성되며, 상기 플라즈마 방전에 의해 생성된 플라즈마 이온을 유도하여 스퍼터링을 일으켜 고체원소 양이온을 발생시키는 금속판 및 상기 금속판을 가로질러 자기장을 인가하는 마그네트론 유닛을 포함하고, 상기 금속판은, 다단계 펄스전압의 제 1바이어스 전압을 인가하여 플라즈마 이온을 유도하여 스퍼터링을 일어나게 하고, 다시 다단계 펄스전압의 제 2바이어스 전압을 인가하여 고체원소 양이온을 유도함으로써 중성입자빔을 발생시키는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 구성되는 본 발명은 증착물질로 이루어진 하나의 금속판에 다단계 펄스전압의 제 1바이어스와 제 2바이어스 전압을 순차적으로 인가하여 양이온 생성과 중성입자빔을 발생시킬 수 있다. |
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