질화물반도체 단결정 박막형성 장치 및 방법
| 대표분류 | 전기소자 | ||
|---|---|---|---|
| 연구기관 | 국가핵융합연구소 | 연구자 | 유석재외 4인 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 10-1038767(한국) 이전유형: 양도 기술료: 220만원(부가세포함) 비고: 기술료 외 양수특허의 연차료 추납(가산금 포함)과 권리이전 제반비용 모두 기업 부담 본 발명은 중성입자 빔을 사용하여 반도체 발광 소자를 제작하는 방법 및 그 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 기판에 형성하는 질화물 반도체 단결정 박막, 예를 들면 GaN 층의 형성을 종래와 같이 기판을 가열하여 열에너지로 반응에너지를 제공하는 것이 아니라 중성입자 빔의 운동에너지로 반응에너지의 일부를 제공하므로 기판의 온도를 상대적으로 많이 낮출 수 있다. 중성입자 빔은 반응물 중 질소를 포함하고 반응성은 없으나 운동량과 운동에너지를 상당량 제공하는 불활성 원소 Ar을 포함한다. 또한, 반응에 필요한 3 족 고체원소인 Ga, Al, In 등을 고체원소 발생원을 통해 공정 챔버 내의 기판 위에 분사하여 600 ℃ 정도의 기판 온도에서도 중성입자 빔에 의해 직접 질화물 반도체 단결정 박막을 형성할 수 있으며, 도핑에 필요한 고체원소인 Si, Mg등의 원소도 도핑용 고체원소 발생원을 통해 기판으로 분사하여 도핑을 수행 할 수 있다.본 발명에 따르면, 기판 온도의 저온화로 기판과 박막의 열화 방지 및 도핑 원소의 원하지 않는 확산을 방지하여 우수한 발광 특성을 갖는 반도체 발광 소자를 비교적 간편하게 제작할 수 있다. |
||
| 자료집 | 다운로드 | ||