다결정 실리콘의 제조방법과 그 장치

다결정 실리콘의 제조방법과 그 장치 상세정보
대표분류 전기소자
연구기관 한국화학연구원 연구자 김희영
기술내용 이전대상 특허번호: 10-2001-0000237(한국)
이전유형: 양도
기술료: 550만원(부가세포함)
비고: -

본 발명은 다결정실리콘(polycrystalline silicon)의 제조방법과 그 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 유동층 반응기를 이용하여 입자형태의 다결정실리콘을 대량으로 생산하는데 있어 염화수소를 포함하는 에칭가스를 공급하는 노즐을 장착함으로서 반응가스 공급수단의 표면에 실리콘이 석출되어 누적되는 것을 효율적으로 방지하여 반응기를 연속적으로 운전할 수 있게 하는 다결정실리콘의 제조방법과 그 장치에 관한 것이다.
자료집 다운로드

상담 및 문의하기