다결정 실리콘의 제조방법과 그 장치
| 대표분류 | 화학 | ||
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| 연구기관 | 한국화학연구원 | 연구자 | 김희영 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 2001-259479(일본) 이전유형: 양도 기술료: 550만원(부가세포함) 비고: - 다결정 실리콘 제조 시 반응가스 공급수단의 출구 표면에 실리콘이 석출 퇴적하는 것을 방지한다. 본 발명은 유동층 반응기를 이용하여 반응 가스를 공급하면서 실리콘 입자를 유동시켜 입자 형태의 다결정 실리콘을 양산하는데 있어서 염화수소를 포함한 식각 가스를 반응가스 공급수단의 표면에 주입함으로써 실리콘이 석출되어 퇴적되는 것을 유효하게 방지하고 반응기를 연속적으로 운전하는 것을 가능하게 하는 다결정 실리콘 제조 방법 및 장치를 제공한다. [Image] |
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