입자형 다결정 실리콘의 제조방법 및 제조장치
| 대표분류 | 화학 | ||
|---|---|---|---|
| 연구기관 | 한국화학연구원 | 연구자 | 김희영 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 200970106(인도) 이전유형: 양도 기술료: 550만원(부가세포함) 비고: - 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정 실리콘을 형성하는 공정이 개시되어 있다. 상기 층의 상부 공간과 하부 공간은 반응 가스 출구의 높이를 기준으로서 각각 반응 영역과 가열 영역에 정의된다. 본 발명은 유동층 반응기의 기계적 안정성을 손상시키지 않고 필요한 열량을 충분히 공급하고 반응 영역 내의 반응 온도를 안정적으로 유지함으로써, 반응관의 생산성을 최대화한다. 이것은 내부 가열기가 반응가스 공급수단과 반응관의 내벽면 사이의 공간에 설치되는 가열 영역 내의 전기 저항 가열을 통해 달성되고 그것에 의해, 가열 영역 내의 유동 가스와 실리콘 입자를 가열한다. 가열 영역 내에서 발생한 열은 실리콘 입자가 지속적으로 유동 상태에서 반응 영역과 가열 영역 사이에서 상호 혼합될 수 있는 속도로 유동 가스를 공급함으로써, 반응 영역으로 이송된다. |
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