유동층 반응기를 이용한 다결정 실리콘의 지속 가능한 제조방법
| 대표분류 | 화학 | ||
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| 연구기관 | 한국화학연구원 | 연구자 | 김희영 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 2008136843(인도) 이전유형: 양도 기술료: 550만원(부가세포함) 비고: - 이들은 반응관의 내벽면에 퇴적된 실리콘 석출물을 효과적으로 제거함으로써, 반응기를 장시간 안정적으로 조작할 수 있는 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정 실리콘의 연속 형성 방법을 제공한다. 본 발명 방법은 (i) 상기 반응 가스 공급 수단에 의해 상기 반응 가스를 공급함으로써, 반응 가스와 접촉하는 실리콘 입자의 표면에 실리콘이 석출되는 것과 동시에, 상기 반응 영역을 둘러싸는 반응관의 내벽면에 실리콘 석출물이 퇴적하는 실리콘 입자 형성 공정；(ii) 상기 반응 가스를 공급하는 것을 중단한 후, 상기 반응관 내부에 잔류하는 실리콘 입자의 잔류층의 높이가 상기 출구의 높이를 초과하지 않도록 실리콘 입자의 일부를 상기 유동층 반응기의 외부로 배출시키는 실리콘 입자의 부분 배출 공정；및 (iii) 상기 실리콘 석출물과 반응해 기상의 실리콘 화합물을 생성시킬 수 있는 식각 가스를 상기 반응 영역의 공간에 공급함으로써, 실리콘 석출물을 제거하는 실리콘 석출물의 제거 공정을 포함한다. |
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