실리콘 나노튜브의 제조방법

실리콘 나노튜브의 제조방법 상세정보
대표분류 화학
연구기관 한국화학연구원 연구자 강영구
기술내용 이전대상 특허번호: 10-2012-0064431(한국)
이전유형: 양도
기술료: 550만원(부가세포함)
비고: -

본 발명은 실리콘 나노튜브를 제조하는 방법에 관한 것으로 구체적으로, 실란계 화합물 및 전해염을 유기용매에 용해시켜 전해질 용액을 제조하는 단계(단계 1); 템플레이트의 일면에 전극물질을 증착시키는 단계(단계 2); 및 기준전극 및 보조전극이 구비된 전해조에 작업전극으로서 상기 단계 2에서 제조된 전극물질이 증착된 템플레이트를 위치시킨 후, 상기 단계 1에서 제조된 전해질 용액을 투입하고 전기화학적 환원법을 이용하여 실리콘 나노튜브를 형성시키는 단계(단계 3)를 포함하는 실리콘 나노튜브의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실리콘 나노튜브의 제조방법은 비교적 간단한 장치와 설비로 전기화학적 환원법을 이용하여 실리콘 나노튜브를 대량생산할 수 있는 장점이 있다. 또한, 이로부터 제조되는 실리콘 나노튜브는 종래 다른 실리콘 나노구조체보다 넓은 표면적을 가져 충방전시에 유발되는 부피팽창에 따른 응력을 용이하게 수용할 수 있을 뿐만 아니라, 종래 탄소계 음극재 보다 높은 충방전 용량을 나타내어 고용량 이차전지의 음극소재로 유용하게 이용할 수 있는 장점이 있다.
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