양자점 형성방법
| 대표분류 | 전기소자 | ||
|---|---|---|---|
| 연구기관 | 국가핵융합연구소 | 연구자 | 이봉주외 5인 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 10-1163979(한국) 이전유형: 양도 기술료: 110만원(부가세포함) 비고: 기술료 외 양수특허의 연차료 추납(가산금 포함)과 권리이전 제반비용 모두 기업 부담 본 발명은 양자점 형성방법에 관한 것으로, 기판상에 제1고분자막과 제2고분자막이 결합된 블럭공중합체로 이루어진 희생막을 형성하는 단계; 상기 희생막에서 상기 제1고분자막을 선택적으로 제거하여 희생패턴을 형성하는 단계; 상기 희생패턴 사이를 매립하도록 물질막을 증착하는 단계; 및 상기 희생패턴을 제거하는 단계를 포함하고 있으며, 상술한 본 발명에 따르면, 자기조립구조를 갖는 블럭공중합체를 이용하여 양자점을 형성함으로써, 수~수십 나노미터의 선폭을 갖는 양자점을 전 기판에서 균일한 크기 및 형상을 갖도록 형성할 수 있으며, 결과적으로 양자점 형성공정시 재현성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. |
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