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페릴렌 단위를 포함하는 반도체성 고분자 상세정보
대표분류	화학
연구기관	한국화학연구원	연구자	문상진
기술내용	이전대상 특허번호: 10-2011-0037156(한국) 이전유형: 양도 기술료: 550만원(부가세포함) 비고: - 본 발명에서는 페릴렌 단위를 포함하는 신규한 낮은 밴드갭을 갖는 공역화된 고분자를 제공하는바, 페릴렌 단위는 공역화된 반도체성 고분자의 단락전류밀도, 충밀계수 및 효율을 증진시키는데 있어서 잇점이 있다.
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