대표분류 | 화학 | ||
---|---|---|---|
연구기관 | 한국화학연구원 | 연구자 | 김창균 |
기술내용 |
이전대상 특허번호: 10-2012-0049229(한국) 이전유형: 양도 기술료: 550만원(부가세포함) 비고: - 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 텅스텐 화합물에 관한 것으로, 상기 텅스텐 화합물은 열적으로 안정하고 높은 휘발성을 가지고 있어 양질의 텅스텐을 포함하는 박막을 형성할 수 있다. [화학식 1] (상기 식에서, R1은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이며, X는 할로겐 원자이고, n은 1 내지 4이다.) |
||
자료집 | 다운로드 |