신규의 텅스텐 실릴아미드 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
| 대표분류 | 화학 | ||
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| 연구기관 | 한국화학연구원 | 연구자 | 김창균 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 10-2012-0049233(한국) 이전유형: 양도 기술료: 550만원(부가세포함) 비고: - 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 텅스텐 화합물에 관한 것으로, 상기 텅스텐 화합물은 열적으로 안정하고 높은 휘발성을 가지고 있어 양질의 텅스텐을 포함하는 박막을 형성할 수 있다. [화학식 1] (상기 식에서, R1은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이다.) |
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