아미노싸이올레이트를 이용한 납 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
| 대표분류 | 도금 | ||
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| 연구기관 | 한국화학연구원 | 연구자 | 정택모 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 10-2013-0046343(한국) 이전유형: 양도 기술료: 550만원(부가세포함) 비고: - 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 납 전구체에 관한 것으로, 상기 납 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 쉽게 양질의 황화납 박막을 제조할 수 있다. [화학식 1] (상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.) |
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