탄소나노튜브 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 전극
| 대표분류 | 측정/검사/시험 | ||
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| 연구기관 | 한국화학연구원 | 연구자 | 이정오 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 10-2010-0116840(한국) 이전유형: 양도 기술료: 550만원(부가세포함) 비고: - 본 발명은 탄소나노튜브 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 전극에 관한 것으로, 상세하게는 절연성 재질의 기판 상부로 바닥전극을 형성하는 단계（단계 1); 상기 단계 1의 바닥전극 상부로 촉매층을 형성하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 촉매층이 형성된 기판에 탄소 나노튜브를 성장시키는 단계(단계 3)를 포함하는 탄소 나노튜브 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소 나노튜브 전극을 제공한다. 본 발명의 탄소나노튜브 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 전극은 전극을 광기능기가 달린 폴리머 레진을 열화시켜 제조함으로써 고가의 금속 및 증착과정이 필요하지 않은 효과가 있으며, 탄소 나노튜브를 성장시켰을 때 탄소 나노튜브와 우수한 접촉저항 특성을 갖는 효과가 있다. 또한 본 발명의 탄소나노튜브 전극은 우수한 전기화학적 특성 및 우수한 접촉저항 특성을 가지며 이에 따라 고감도 전기화학센서, 연료전지 및 전자빔원등에 적용 가능한 효과가 있다. |
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