아미노싸이올레이트를 이용한 텅스텐 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
| 대표분류 | 화학 | ||
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| 연구기관 | 한국화학연구원 | 연구자 | 정택모 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 10-2013-0046349(한국) 이전유형: 양도 기술료: 550만원(부가세포함) 비고: - 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 텅스텐 전구체에 관한 것으로, 상기 텅스텐 전구체는 열적으로 안정하며 휘발성이 높다는 장점이 있고 이를 이용하여 양질의 황화텅스텐 박막을 형성할 수 있다.[화학식 1](상기 식에서, R1은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R2, R3는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R4, R5는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, R6는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)[화학식 2](상기 식에서, R1은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R2, R3는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R4, R5는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택되며, X는 Cl, Br 또는 I이다.) |
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