유기 절연체와 금속산화물 반도체 사이의 금속산화물 층간-박막을이용한박막트랜지스터
| 대표분류 | 전기소자 | ||
|---|---|---|---|
| 연구기관 | 한국화학연구원 | 연구자 | 가재원 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 10-2013-0036314(한국) 이전유형: 양도 기술료: 550만원(부가세포함) 비고: - 본 발명은 유기절연체와 금속산화물 반도체 사이에 형성된 금속산화물 층간박막을 이용한 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의 전기적 특성 향상 방법에 관한 것으로 구체적으로 유기 절연체층과 금속산화물 반도체층 사이에 금속산화물 층간박막을 형성시켜 유기절연체를 화학적으로 손상시키지 않으면서 금속산화물 반도체에 화학적으로 유사한 계면을 제공함으로써, 용액공정을 이용하여 금속산화물 반도체층을 매끄러운 표면을 갖는 고른 막의 형태로 형성시킬 수 있다. 즉, 금속산화물 층간박막은 유기 절연체층의 절연특성을 저하하지 않으면서 유기 절연체층과 금속산화물 반도체층 계면특성을 향상시킴으로써 최종적으로 용액공정용 금속산화물 박막 트랜지스터의 전기적 특성 즉, 소자 특성을 향상시키는 효과가 있다. |
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