형광나노입자가 담지된 분리막의 오염도 측정방법

형광나노입자가 담지된 분리막의 오염도 측정방법 상세정보
대표분류 분리/혼합
연구기관 한국화학연구원 연구자 박유인
기술내용 이전대상 특허번호: 10-2010-0109982(한국)
이전유형: 양도
기술료: 550만원(부가세포함)
비고: -

본 발명은 분리막의 오염 정도를 측정하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 형광나노입자를 담지한 분리막 표면의 형광 피크 세기 감소를 모니터링함으로써 분리막의 오염 정도를 실시간으로 측정하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 분리막 오염도 측정방법을 이용하는 경우 형광신호를 통한 막 표면 오염(fouling) 정도 분석 및 가능성 타진이 가능하게 되어 수처리 분리막의 세정주기 및 교체시기 진단이 실시간으로 가능하게 되며, 오염층 두께의 정밀한 검측이 가능하여 수처리 공정에서 막 오염 측정 시 유용하게 사용될 수 있다.
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