양자점 형성 방법
| 대표분류 | 전기소자 | ||
|---|---|---|---|
| 연구기관 | 국가핵융합연구소 | 연구자 | 유석재외 5인 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 10-1217196(한국) 이전유형: 양도 기술료: 330만원(부가세포함) 비고: 기술료 외 양수특허의 연차료 추납(가산금 포함)과 권리이전 제반비용 모두 기업 부담 본 발명에 따른 양자점 형성 방법은 (a) 기판에 절연층을 형성하는 단계, (b) 절연층 상부에 아몰퍼스 실리콘 및 나노 크리스탈이 혼합된 실리콘 막을 형성하는 단계 및 (c) 상기 실리콘 막으로부터 상기 아몰퍼스 실리콘을 식각하는 단계를 포함한다. |
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