비대칭 구조를 갖는 고분자전해질 착물막 및 이의 제조방법
| 대표분류 | 화학 | ||
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| 연구기관 | 한국화학연구원 | 연구자 | 이규호 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 10-2004-0021738(한국) 이전유형: 양도 기술료: 550만원(부가세포함) 비고: - 본 발명은 비대칭 구조를 갖는 고분자 전해질 착물막 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 음이온성 고분자를 혼합하여 형성한 고분자 매트릭스와, 양이온금속 또는 양이온성 고분자가 상호침투하여 형성한 망상구조의 착물막을 특정의 조건에서 수팽윤 및 비용매에 의해 치환하는 일련의 과정으로, 비용매로 치환방법에 따라 완전 다공성에서부터 부분적 다공성으로 몰폴로지 제어가 가능한 비대칭 구조를 갖는 고분자 전해질 착물막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. |
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