비스무트 텔루라이드 나노튜브의 제조방법 및 이에 따라 제조되는큰종횡비를가지는비스무트텔루라이드 나노튜브
| 대표분류 | 나노기술 | ||
|---|---|---|---|
| 연구기관 | 한국화학연구원 | 연구자 | 박병기 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 10-2012-0091694(한국) 이전유형: 양도 기술료: 550만원(부가세포함) 비고: - 본 발명은 비스무트 텔루라이드(Bi2Te3) 나노튜브의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 열전특성이 향상된 비스무트 텔루라이드(Bi2Te3) 나노튜브를 제공하는데 있다. 이를 위하여 본 발명은 트리옥틸포스핀옥사이드(tri-octylphosphineoxide, TOPO), 제 3 인산소다(Na3PO4·12H2O), 소듐도데실벤젠설퍼네이트(sodium dodecyl-benzene-sulfonate, SDBS) 및 세틸트리메틸암모늄브로마이드(cetyl-trimethyl-ammonium-bromide)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종과 폴리비닐피롤리돈(Polyvinylpyrrolidone, PVP), 폴리비닐알콜(polyvinylalcohol) 및 에틸렌다이아미노테트라아세트산 염(sodium dodecyl-benzene-sulfonate)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종으로 이루어진 캡핑제(capping agent)를 포함하는 용매에 산화텔루륨(TeO2)을 용해하고 환원제를 첨가하여 텔루륨 나노와이어를 제조하는 단계(단계 1); 비스무트 전구체 용액을 상기 단계 1의 텔루륨 나노와이어와 혼합하고 환원제를 첨가하여 혼합용액을 제조하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2의 혼합용액을 열처리하여 비스무트 텔루라이드(Bi2Te3) 나노튜브를 제조하는 단계(단계 3);를 포함하는 비스무트 텔루라이드(Bi2Te3) 나노튜브의 제조방법을 제공한다. |
||
| 자료집 | 다운로드 | ||