전해도금을 이용한 에피택셜 성장 및 단결정 박막제조
| 대표분류 | 도금 | ||
|---|---|---|---|
| 연구기관 | 한국원자력연구원 | 연구자 | 이창화 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 10-1292863(한국) 이전유형: 양도 기술료: 무상 비고: - 본 발명은 실리콘 기판 위에서 전해도금을 이용하여 금속을 단결정으로 성장시키는 방법에 관한 것이다. 전처리 공정을 통해 실리콘 기판 표면의 산화층을 제거하고, 바로 전해도금을 수행하거나 또는, 화학/물리적 기상법으로 형성시킨 씨앗층 형성 후 전해도금을 수행하는 과정을 포함한다. 이때 전류나 전압의 조절, 혹은 첨가제를 조절하여 단결정의 박막을 얻을 수 있다. |
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