실리콘 방사선 센서를 이용한 컴프턴 에지 검출 기반의 방사선 검출방법
| 대표분류 | 전기소자 | ||
|---|---|---|---|
| 연구기관 | 한국원자력연구원 | 연구자 | 정만희 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 10-1501455(한국) 이전유형: 양도 기술료: 무상 비고: - 실리콘 방사선 센서를 이용한 컴프턴 에지 검출 기반의 방사선 검출방법에 관한 것으로, (a) 실리콘 웨이퍼 상하면에 각각 제1 및 제2 SiO2층을 형성하는 단계, (b) 상기 실리콘 웨이퍼 상면의 제1 SiO2 층을 스핀 코팅하고, 실리콘 웨이퍼 하면의 제2 SiO2 층을 제거해서 폴리 실리콘을 증착하는 단계, (c) 상기 실리콘 웨이퍼 상면에 패터닝 작업을 하고 보론을 도핑하는 단계 및 (d) 상기 실리콘 웨이퍼 상면의 패턴 부분에 캐소드 전극을 형성하고, 실리콘 웨이퍼의 하면에 애노드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 구성을 마련하여, 통상의 실리콘 센서 제조방식을 이용해서 1mm 이상의 두께를 가지도록 제조된 실리콘 방사선 센서와 같이, 포토 피크 비율이 낮은 저 순도의 센서를 이용하더라도 컴프턴 에지 검출 방식을 이용해서 고에너지 감마선원의 종류를 용이하게 판별할 수 있다는 효과가 얻어진다. |
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