양자점 형성 방법
| 대표분류 | 전기소자 | ||
|---|---|---|---|
| 연구기관 | 국가핵융합연구소 | 연구자 | 오경숙외 6인 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 10-1402741(한국) 이전유형: 양도 기술료: 165만원(부가세포함) 비고: 기술료 외 양수특허의 연차료 추납(가산금 포함)과 권리이전 제반비용 모두 기업 부담 본 발명은 양자점 태양전지를 제조하기 위한 양자점 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 양자점 형성 방법은, 실리콘 기판에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상부에 아몰퍼스 실리콘 및 나노 크리스탈이 혼합된 실리콘막을 형성하는 단계; 및 상기 실리콘막에 포함된 상기 나노 크리스탈 표면에 절연막을 형성하는 단계;를 포함한다. |
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