고밀도 플라즈마 발생장치
| 대표분류 | 전기전자 | ||
|---|---|---|---|
| 연구기관 | 국가핵융합연구소 | 연구자 | 김종식외 3인 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 10-1450592(한국) 이전유형: 양도 기술료: 165만원(부가세포함) 비고: 기술료 외 양수특허의 연차료 추납(가산금 포함)과 권리이전 제반비용 모두 기업 부담 본 발명은 자기장 안에서 사이클로트론 운동(회전 운동)하고 있는 전자에 대하여 사이클로트론 주파수와 동일한 전자파(Microwave)를 주어 발생하는 전자 사이클로트론 공명(ECR:Electron Cyclotron Resonance)상태에 가스를 도입하여 플라즈마를 발생시키는 ECR 플라즈마 발생장치로서, 전자파(Microwave)가 유입되는 제 1 도파관; 상기 도파관의 개방단으로부터 연장되고, 상기 도파관의 개방단을 부채꼴 형상으로 확개하여 상기 전자파를 전송하기 위한 혼 안테나; 상기 혼 안테나의 전방에 배치되고, 상기 혼 안테나와 연통되어 내부로 상기 전자파가 전송되고, 저면부가 개방된 제 2 도파관; 상기 제 2 도파관의 개방된 저면부를 밀폐하고, 상기 제 2 도파관의 내부로 전송된 전자파를 하측 방향으로 전달시키는 유전체창; 상기 유전체창을 통해 전달된 전자파가 통과되기 위한 복수의 슬릿이 배치되고, 서로 이웃하는 슬릿들 사이에 자석이 배치되며, 상기 슬릿을 통과하는 전자파에 대응하는 공진 자기장을 형성하기 위한 자석 배치 구조물; 및 상기 자석 배치 구조물의 하부 위치한 ECR 플라즈마 발생 영역을 포함하고, 상기 플라즈마 발생 영역으로 플라즈마 발생 가스가 주입되고, 상기 유전체창을 통해 전달된 전자파, 상기 공진 자기장, 및 상기 주입된 플라즈마 발생 가스에 기초하여, ECR 플라즈마가 상기 ECR 플라즈마 발생 영역에 발생하는, ECR 플라즈마 발생장치에 관한 것이다. |
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