고밀도 플라즈마 발생장치
| 대표분류 | 전기전자 | ||
|---|---|---|---|
| 연구기관 | 국가핵융합연구소 | 연구자 | 김종식외 2인 |
| 기술내용 |
이전대상 특허번호: 10-1475499(한국) 이전유형: 양도 기술료: 220만원(부가세포함) 비고: 기술료 외 양수특허의 연차료 추납(가산금 포함)과 권리이전 제반비용 모두 기업 부담 ECR 플라즈마 발생장치가 개시된다. 본 발명 ECR 플라즈마 발생장치는, 자기장 안에서 사이클로트론 운동(회전 운동)하고 있는 전자에 대하여 사이클로트론 주파수와 동일한 전자파(Microwave)를 주어 발생하는 전자 사이클로트론 공명(ECR:Electron Cyclotron Resonance)상태에 가스를 도입하여 플라즈마를 발생시키는 ECR 플라즈마 발생장치로서, 전자파(Microwave)가 유입되는 제 1 도파관; 상기 도파관의 개방단으로부터 연장되고, 상기 도파관의 개방단을 부채꼴 형상으로 확개하여 상기 전자파를 전송하기 위한 혼 안테나; 상기 혼 안테나의 전방에 배치되고, 상기 혼 안테나와 연통되어 내부로 상기 전자파가 전송되고, 저면부가 개방된 제 2 도파관; 상기 제 2 도파관의 개방된 저면부를 밀폐하고, 상기 제 2 도파관의 내부로 전송된 전자파를 하측 방향으로 전달시키는 유전체창; 상기 유전체창을 통해 전달된 전자파가 통과되기 위한 복수의 슬릿이 배치되고, 서로 이웃하는 슬릿들 사이에 자석이 배치되며, 상기 슬릿을 통과하는 전자파에 대응하는 공진 자기장을 형성하기 위한 자석 배치 구조물; 및 상기 자석 배치 구조물의 하부 위치한 ECR 플라즈마 발생 영역을 포함하고, 상기 슬릿들은 제1 방향으로 연장되어 있는 제1 슬릿들 및 상기 제1 방향에 수직하는 제2 방향으로 연장되어 있는 제2 슬릿들을 포함하고, 상기 제2 슬릿들은 각각의 제1 슬릿들의 일측 말단및 타측 말단을 번갈아 잇도록 상기 제1 슬릿들 사이에 배치되어 있고, 상기 자석은 상기 제1 슬릿 및 상기 제2 슬릿의 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 한다. |
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