박막 표면 가열 및 고품질 질화막 증착을 위한 저에너지 불황성기체 및 질소 발생장치
| 대표분류 | 전기전자 | ||
|---|---|---|---|
| 연구기관 | 국가핵융합연구소 | 연구자 | 김성봉 |
| 기술내용 |
50eV 이하의 저에너지를 가지는 질소와 Ar, He 등의 불활성기체를 발생하는 것이 핵심 기술임 저에너지 기체를 박막ㅇ 공급하게 되면 박막 표면을 가열하는 효과를 얻을 수 있어, 고품질의 박막을 얻을 수 있음 사용하는 기체에 따라서 single crystal, nano crystal 구조를 가지는 고품질 및 고밀도 박막을 얻을 수 있음 |
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