대기압 플라즈마를 이용한 실리콘 카바이드(SiC) 에칭장치 및 방법
| 대표분류 | 전기소자 | ||
|---|---|---|---|
| 연구기관 | 국가핵융합연구소 | 연구자 | 석동찬 |
| 기술내용 |
대기압에서 안정적인 단일 필라멘트 플라즈마를 발생시켜 SiC 기판 위에 원판상의 에칭 플라즈마를 형성하여 SiC 기판을 에칭하는 기술임. 에칭 프로파일은 Gaussian Shape의 일정한 Tool Shape을 가지며 플라즈마 발생파라미터(전압주파수, 공정가스 조성, 전극의 규격)를 제어하여 다양한 Tool Function의 에칭공정을 구현할 수 있음. 공정 중 V-I 신호를 이용하여 에칭 Tool Function을 실시간 모니터링-제어할 수 있음. |
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