나노튜브 박막 가스 센서 및 그 제조법
| 대표분류 | 측정/검사/시험 | ||
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| 연구기관 | 한국과학기술연구원 | 연구자 | 장호원, 윤석진, 김진상, 최지원, 강종윤, 김도홍 |
| 기술내용 |
본 발명은 Si 기판에 금속 산화물 나노구조체를 형성하여 가스센서의 감도를 획기적으로 향상시킬 수 있는 것이 주 목적임. TiO2 나노튜브 형성에 관한 기술로서 가스 센서로 활용시 기존 2D 박막에 비해 비표면적이 넓어 가스 분자의 흡 탈착 반응성이 향상됨. TiO2 나노튜브 형성에 사용된 양극산화 공정은 반도체 공정과 호환성이 뛰어나 대량생산이 용이, 핵심 아이디어는 양극산화시 Pt 전극을 current spreader로 사용함으로써 Si 기판에 대면적 고신뢰성 나노튜브 박막을 형성할 수 있음. 본 발명에서 제시된 합성법으로 합성한 결과 매우 형태 및 소재의 균일성이 우수한 높은 품질을 갖는 나노튜브 박막 형성. 특히, 기판 가까운 영역에서도 Ti 금속이 존재하지 않는 완벽한 TiO2 나노튜브 형성. 합성된 TiO2 나노튜브 박막의 가스 특성결과 온도 400도에서 기존 2D 박막에 비해 35배 감도 향상. 특히 아세톤, 에탄올 가스에 대한 선택도가 높음. |
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