SiC 반도체 박막 기술
| 대표분류 | 도금 | ||
|---|---|---|---|
| 연구기관 | 한국전기연구원 | 연구자 | 방욱, 김남균, 김상철, 서길수, 김형우, 김기현, 김은동 |
| 기술내용 |
SiC 에너지반도체 소자 제조를 위한 웨이퍼 및 에피탁시 박막 성장과 관련된 소재 기술. SiC가 에너지반도체 소자로 사용되기 위해서는 단결정 웨이퍼 기술, 에피탁시 박막기술, 소자화 기술등이 필요하며 에피탁시 박막의 경우 소자의 특성을 결정짓는 핵심기술임. CVD(화학기상증착법)를 이용하여 도핑농도가 제어된 단결정 박막을 형성하는 기술로 두께 균일도, 도핑농도 균일도를 향상시키는 것이 핵심이며 이를 만족하기 위한 CVD system의 설계 기술도 중요하다 |
||
| 자료집 | 다운로드 | ||